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場效應分類：場效應管主要有結型場效應管（JFET）和絕緣柵型場效應管（IGFET）。絕緣柵型場效應管的襯底（B）與源析（S）連在一起，它的三個極分別為柵極（G）、漏極（D）和源極（S）。晶體管分NPN和PNP管，它的三個極分別為基極（b）、集電極（c）、發射極（e）。

場效應管的G、D、S極與晶體管的b、c、e極有相似的功能。絕緣柵型效應管和結型場效應管的區別在于它們的導電機構和電流控制原理根本不同，結型管是利用耗盡區的寬度變化來改變導電溝道的寬窄以便控制漏極電流，絕緣柵型場效應管則是用半導體表面的電場效應、電感應電荷的多少去改變導電溝道來控制電流。

它們性質的差異使結型場效應管往往運用在功放輸入級（前級），絕緣柵型場效應管則用在功放末級（輸出級）。場效應管的工作原理和三極管其本一樣，只是他們一個是壓控型元件，一個是電流控制元件，場效應管只有一個PN結，如下圖所示：

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