三菱IGBT模塊 CM200DY-24A CM300DY-24A CM150DY-34A CM300DY-34
概述：[中介]采用CSTBTTM硅片技術(shù)飽和壓降低、短路承受能力強(qiáng)、驅(qū)動(dòng)功率小比同等級(jí)其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時(shí)ΔT(j-f)低15% 成本優(yōu)化的封裝內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小模塊
第五代A系列
采用CSTBTTM硅片技術(shù)飽和壓降低、短路承受能力強(qiáng)、驅(qū)動(dòng)功率小比同等級(jí)其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時(shí)ΔT(j-f)低15% 成本優(yōu)化的封裝內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小模塊內(nèi)部寄生電感小功率循環(huán)能力顯著改善
產(chǎn)品型號(hào) 參數(shù)說(shuō)明
CM400HA-24A 1單元，400A/1200V
CM600HA-24A 1單元，600A/1200V
CM600HB-24A 1單元，600A/1200V
CM100DY-24A 2單元，100A/1200V
CM150DY-24A 2單元，150A/1200V
CM200DY-24A 2單元，200A/1200V
CM300DY-24A 2單元，300A/1200V
CM400DY-24A 2單元，400A/1200V
CM600DY-24A 2單元，600A/1200V
CM75DY-34A 2單元，75A/1700V
CM100DY-34A 2單元，100A/1700V
CM150DY-34A 2單元，150A/1700V
CM200DY-34A 2單元，200A/1700V
CM300DY-34A 2單元，300A/1700V
CM400DY-34A 2單元，400A/1700V
采用CSTBTTM硅片技術(shù)飽和壓降低、短路承受能力強(qiáng)、驅(qū)動(dòng)功率小比同等級(jí)其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時(shí)ΔT(j-f)低15% 成本優(yōu)化的封裝內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小模塊內(nèi)部寄生電感小功率循環(huán)能力顯著改善
產(chǎn)品型號(hào) 參數(shù)說(shuō)明
CM400HA-24A 1單元，400A/1200V
CM600HA-24A 1單元，600A/1200V
CM600HB-24A 1單元，600A/1200V
CM100DY-24A 2單元，100A/1200V
CM150DY-24A 2單元，150A/1200V
CM200DY-24A 2單元，200A/1200V
CM300DY-24A 2單元，300A/1200V
CM400DY-24A 2單元，400A/1200V
CM600DY-24A 2單元，600A/1200V
CM75DY-34A 2單元，75A/1700V
CM100DY-34A 2單元，100A/1700V
CM150DY-34A 2單元，150A/1700V
CM200DY-34A 2單元，200A/1700V
CM300DY-34A 2單元，300A/1700V
CM400DY-34A 2單元，400A/1700V
- mc3065m發(fā)布的信息
- 三菱IGBT模塊CM1400DUC-24NF CM900DUC-24NF CM1000DUC-34NF
- [中介]最新的CSTBTTM硅片技術(shù)帶來(lái)：杰出的短路魯棒性 - 降低了柵極電容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的緊湊型封裝良好的匹配液體冷卻多孔型端子使得接觸阻抗更低，實(shí)現(xiàn)更可靠的長(zhǎng)期電氣連接端子孔徑與安裝定位孔徑一...
- 三菱IGBT模塊CM100MXA-24S CM150DX-24S CM200DX-34S CM300DX-34S
- [中介]采用第6代IGBT硅片技術(shù)，損耗低二極管采用第6代LPT硅片技術(shù)，正向?qū)▔航档凸杵Y(jié)溫可高達(dá)175°C 硅片運(yùn)行溫度最高可達(dá)150°C 內(nèi)部集成NTC測(cè)溫電阻全系列共享同一封裝平臺(tái)有條件接受客戶定制...
- 三菱IGBT模塊CM300DY-24S CM400C1Y-24S CM450DY-24S CM600DY-24S
- [中介]采用第6代IGBT硅片技術(shù)，損耗低硅片結(jié)溫可高達(dá)175°C 硅片運(yùn)行溫度最高可達(dá)150°C 內(nèi)部集成NTC測(cè)溫電阻封裝兼容第五代A/NF系列模塊...
- 三菱IGBT模塊CM100TL-12NF CM150RL-12NF CM300DY-24NF CM200TL
- [中介]采用低損耗CSTBTTM硅片技術(shù) LPT結(jié)構(gòu)用于1200V模塊，更加適合于并聯(lián)使用額定電流定義比市場(chǎng)上同類產(chǎn)品高一個(gè)等級(jí)外形尺寸與H系列IGBT完全兼容內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，熱阻小通過(guò)調(diào)整底板和...
- 三菱IGBT模塊CM100RX-12A CM150RX-12A CM100MX-12A CM35MX-24A
- [中介]采用最優(yōu)化CSTBTTM硅片技術(shù)有CIB、7單元、2單元和1單元四種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)內(nèi)部集成NTC測(cè)溫電阻全系列共享同一封裝平臺(tái)耐功率循環(huán)和熱循環(huán)能力強(qiáng)具有競(jìng)爭(zhēng)力的性價(jià)比有條件接受客戶定制...
- 三菱IGBT模塊CM2500DY-24S CM1800DY-34S 燦宏電子科技
- [中介]采用CSTBTTM硅片技術(shù)的第6代IGBT 寬的安全工作區(qū)，杰出的短路魯棒性 最優(yōu)的VCE(sat) Vs. Eoff折衷性能 硅片最高結(jié)溫可達(dá)175°C 新型無(wú)焊接Al基板，提供更高的溫度循環(huán)能力（DTc）內(nèi)部硅片分布均勻，Rth(j-...
